Name: TK100E06N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100E06N1S1X-ND
Price: 793.1 JPY
Availability: InStock

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TK100E06N1,S1X
DigiKey製品番号	TK100E06N1S1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK100E06N1,S1X
商品概要	MOSFET N CH 60V 100A TO-220
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 100A（Ta） 255W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK100E06N1,S1X モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 140 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 10500 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 255W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Ta）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK100E06
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.3ミリオーム @ 50A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
AOT260L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	2,023	785-1273-5-ND	¥154.21000	類似
CSD18535KCS	Texas Instruments	376	296-47696-ND	¥132.88000	類似
IPP020N06NAKSA1	Infineon Technologies	468	448-IPP020N06NAKSA1-ND	¥152.27000	類似
IRFB7534PBF	Infineon Technologies	7,954	448-IRFB7534PBF-ND	¥101.19000	類似

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注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥721.00000
単価（消費税込み）:	¥793.10000

TK100E06N1,S1X