Name: SSM6K217FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K217FELFTR-ND
Price: 96.8 JPY
Availability: InStock

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SSM6K217FE,LF
DigiKey製品番号	SSM6K217FELFTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM6K217FELFCT-ND - カットテープ（CT） SSM6K217FELFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM6K217FE,LF
商品概要	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 1.8A（Ta） 500mW（Ta）面実装 ES6
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM6K217FE,LF モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.2V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 1.1 nC @ 4.2 V
シリーズ U-MOSVII-H	Vgs（最大） ±12V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 130 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 500mW（Ta）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	サプライヤデバイスパッケージ ES6
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.8A（Ta）	パッケージ/ケース SOT-563、SOT-666
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V、8V	ベース品番 SSM6K217
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 195ミリオーム @ 1A、8V