Name: SSM3K36MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K36MFVL3FTR-ND
Price: 53.9 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SSM3K36MFV,L3F
DigiKey製品番号	SSM3K36MFVL3FTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM3K36MFVL3FCT-ND - カットテープ（CT） SSM3K36MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM3K36MFV,L3F
商品概要	MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 20 V 500mA（Ta） 150mW（Ta）面実装 VESM
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM3K36MFV,L3F モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSIII
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	500mA（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V、5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	630ミリオーム @ 200mA、5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	1.23 nC @ 4 V
Vgs（最大）	±10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	46 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	150mW（Ta）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	VESM
パッケージ/ケース	SOT-723
ベース品番	SSM3K36