Name: SSM3K318R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318RLFTR-ND
Price: 107.8 JPY
Availability: InStock

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SSM3K318R,LF
DigiKey製品番号	SSM3K318RLFTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM3K318RLFCT-ND - カットテープ（CT） SSM3K318RLFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM3K318R,LF
商品概要	MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 2.5A（Ta） 1W（Ta）面実装 SOT-23F
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM3K318R,LF モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.8V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 7 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSIV	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 235 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1W（Ta）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23F
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2.5A（Ta）	パッケージ/ケース SOT-23-3フラットリード
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SSM3K318
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 107ミリオーム @ 2A、10V