Name: SSM3J352F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J352FLFTR-ND
Price: 77 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SSM3J352F,LF
DigiKey製品番号	SSM3J352FLFTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM3J352FLFCT-ND - カットテープ（CT） SSM3J352FLFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM3J352F,LF
商品概要	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 2A（Ta） 1.2W（Ta）面実装 Sミニ
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM3J352F,LF モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVI
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	2A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.8V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	110ミリオーム @ 2A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1.2V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	5.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±12V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	210 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.2W（Ta）
動作温度	150°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	Sミニ
パッケージ/ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番	SSM3J352