Name: RN2906FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2906FE(TE85LF)TR-ND
Price: 57.2 JPY
Availability: InStock

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RN2906FE(TE85L,F)
DigiKey製品番号	RN2906FE(TE85LF)TR-ND - テープ＆リール（TR） RN2906FE(TE85LF)CT-ND - カットテープ（CT）
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	RN2906FE(TE85L,F)
商品概要	TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
客先参照品番
詳細な説明	トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス 2 PNP - プリバイアス（デュアル） 50V 100mA 200MHz 100mW 面実装 ES6
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RN2906FE(TE85L,F) モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタバイポーラ（BJT）バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）
部品状況	アクティブ
トランジスタタイプ	2 PNP - プリバイアス（デュアル）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	50V
抵抗 - ベース（R1）	4.7キロオーム
抵抗 - エミッタベース（R2）	47キロオーム
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）	80 @ 10mA、5V
Vce飽和（最大） @ lb、Ic	300mV @ 250µA、5mA
電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA（ICBO）
周波数 - トランジション	200MHz
電力 - 最大	100mW
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	SOT-563、SOT-666
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
ベース品番	RN2906