Name: TSM60NE180CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 1801-TSM60NE180CERVGTR-ND
Price: 819.5 JPY
Availability: InStock

新製品

Nチャンネル 600 V 20A（Tc） 169W（Tc）面実装 8-PDFN（8x8）

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TSM60NE180CE RVG
DigiKey製品番号	1801-TSM60NE180CERVGTR-ND - テープ＆リール（TR） 1801-TSM60NE180CERVGCT-ND - カットテープ（CT） 1801-TSM60NE180CERVGDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Taiwan Semiconductor Corporation
メーカー製品番号	TSM60NE180CE RVG
商品概要	600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
メーカーの標準リードタイム	14 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 20A（Tc） 169W（Tc）面実装 8-PDFN（8x8）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Taiwan Semiconductor Corporation
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	20A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V、12V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	175ミリオーム @ 6.6A、12V
Id印加時のVgs（th）（最大）	6V @ 1.8mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	36 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1405 pF @ 300 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	169W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-PDFN（8x8）
パッケージ/ケース	8-VDFN露出パッド