Name: STW3N170
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16332-5-ND
Price: 1218.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 44 nC @ 10 V
シリーズ PowerMESH™	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1100 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 160W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1700 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 STW3N170
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13オーム @ 1.3A、10V