Name: STP12N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STP12N120K5-ND
Price: 1667.6 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 100µA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 44.2 nC @ 10 V
シリーズ MDmesh™ K5	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1370 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 250W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 STP12
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 690ミリオーム @ 6A、10V