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IXTA110N055T2
IXYS
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Nチャンネル 68 V 80A（Tc） 176W（Tc） 面実装 H2PAK-2
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STH110N7F6-2

DigiKey製品番号
STH110N7F6-2-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー
STMicroelectronics
メーカー製品番号
STH110N7F6-2
商品概要
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 68 V 80A（Tc） 176W（Tc） 面実装 H2PAK-2
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
STH110N7F6-2 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
STMicroelectronics
シリーズ
STripFET™ F6
梱包形態
テープ＆リール（TR）
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
68 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
80A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
6.3ミリオーム @ 55A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
5850 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
176W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
H2PAK-2
パッケージ/ケース
TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番
STH110
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