Name: STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB33N60DM6TR-ND
Price: 1245.2 JPY
Availability: InStock

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STB33N60DM6
DigiKey製品番号	497-STB33N60DM6TR-ND - テープ＆リール（TR） 497-STB33N60DM6CT-ND - カットテープ（CT） 497-STB33N60DM6DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	STMicroelectronics
メーカー製品番号	STB33N60DM6
商品概要	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 25A（Tc） 190W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	STB33N60DM6 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.75V @ 250µA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 35 nC @ 10 V
シリーズ MDmesh™ M6	Vgs（最大） ±25V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1500 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 190W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 25A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 STB33
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 128ミリオーム @ 12.5A、10V