Name: STB14N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB14N80K5TR-ND
Price: 766.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

STB14N80K5
DigiKey製品番号	497-STB14N80K5TR-ND - テープ＆リール（TR） 497-STB14N80K5CT-ND - カットテープ（CT） 497-STB14N80K5DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	STMicroelectronics
メーカー製品番号	STB14N80K5
商品概要	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	14 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 12A（Tc） 130W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	STB14N80K5 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	STMicroelectronics
シリーズ	MDmesh™ K5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	800 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	445ミリオーム @ 6A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5V @ 100µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	22 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	620 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	130W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	STB14