Name: SCT20N120AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT20N120AG-ND
Price: 3965.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 45 nC @ 20 V
メーカー STMicroelectronics	Vgs（最大） +25V、-10V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 650 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 153W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～200°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 239ミリオーム @ 10A、20V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 1mA	ベース品番 SCT20