Name: SCT040W65G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040W65G3-4-ND
Price: 2126.3 JPY
Availability: InStock

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SCT040W65G3-4
DigiKey製品番号	497-SCT040W65G3-4-ND
メーカー	STMicroelectronics
メーカー製品番号	SCT040W65G3-4
商品概要	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 30A（Tc） 240W（Tc）スルーホール TO-247-4
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.2V @ 1mA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 37.5 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +18V、-5V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 860 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 240W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～200°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 63ミリオーム @ 20A、18V	ベース品番 SCT040

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単価（消費税抜き）:	¥1,933.00000
単価（消費税込み）:	¥2,126.30000

SCT040W65G3-4