Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 3844.5 JPY
Availability: OutOfStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.2V @ 10mA
メーカー STMicroelectronics	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 111.2 nC @ 18 V
シリーズ ECOPACK®	Vgs（最大） +22V、-10V
梱包形態バルク	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2789 pF @ 800 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 500W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 90A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	サプライヤデバイスパッケージ HU3PAK
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 26ミリオーム @ 40A、18V	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

単価（消費税抜き）:	¥3,495.00000
単価（消費税込み）:	¥3,844.50000

SCT019HU120G3AG