Name: S2M0160120D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120D-ND
Price: 1019.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 2.5mA
メーカー SMC Diode Solutions	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 26.5 nC @ 20 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +20V、-5V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 513 pF @ 1000 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 130W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 17A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 196ミリオーム @ 10A、20V