Name: GP3T014A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T014A120H-ND
Price: 2537.7 JPY
Availability: OutOfStock

DigiKeyに新登場

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 21ミリオーム @ 50A、18V
メーカー SemiQ	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 20mA
シリーズ QSiC™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 258 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-8V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6242 pF @ 1000 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 484W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 133A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-4