SKI03021 Sanken Electric USA Inc. | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1.5mA
メーカー Sanken Electric USA Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 94.2 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vgs（最大） ±20V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6200 pF @ 15 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 135W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 85A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.4ミリオーム @ 110A、10V

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