Name: SCT3022ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3022ALGC11-ND
Price: 9688.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.6V @ 18.2mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 133 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-4V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2208 pF @ 500 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 339W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 93A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 28.6ミリオーム @ 36A、18V	ベース品番 SCT3022