Name: SCT2080KEGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2080KEGC11-ND
Price: 5154.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 4.4mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 106 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-6V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2080 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 262W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 40A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 117ミリオーム @ 10A、18V	ベース品番 SCT2080