Name: RS6N120BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6N120BHTB1TR-ND
Price: 598.4 JPY
Availability: InStock

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RS6N120BHTB1
DigiKey製品番号	846-RS6N120BHTB1TR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RS6N120BHTB1CT-ND - カットテープ（CT） 846-RS6N120BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RS6N120BHTB1
商品概要	NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
メーカーの標準リードタイム	21 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 120A（Tc） 104W（Tc）面実装 8-HSOP
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	120A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.9ミリオーム @ 60A、6V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	53 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	3420 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	104W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-HSOP
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	RS6N120