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直接

IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
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類似

BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies
在庫あり: 22,296
単価 : ¥250.00000
データシート

類似

BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
在庫あり: 7,905
単価 : ¥148.00000
データシート

類似

CSD17577Q5A
Texas Instruments
在庫あり: 4,839
単価 : ¥207.00000
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Nチャンネル 30 V 20A（Ta）、68A（Tc） 3W（Ta）、25W（Tc） 面実装 8-HSOP
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

RS1E200BNTB

DigiKey製品番号
RS1E200BNTBTR-ND - テープ＆リール（TR）
RS1E200BNTBCT-ND - カット テープ（CT）
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
RS1E200BNTB
商品概要
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
メーカーの標準リードタイム
16 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 30 V 20A（Ta）、68A（Tc） 3W（Ta）、25W（Tc） 面実装 8-HSOP
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
RS1E200BNTB モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
20A（Ta）、68A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
3.9ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
3100 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
3W（Ta）、25W（Tc）
動作温度
150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
8-HSOP
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
ベース品番
RS1E
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数量
価格はすべてJPYです
テープ＆リール（TR）
数量 単価 請求価格
2,500¥52.55640¥131,391
5,000¥48.53580¥242,679
7,500¥46.48693¥348,652
12,500¥44.18576¥552,322
17,500¥43.95514¥769,215
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥52.55640
単価（消費税込み）:¥57.81204