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IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
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類似

BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies
在庫あり: 22,486
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類似

BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
在庫あり: 9,353
単価 : ¥133.00000
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類似

CSD17577Q5A
Texas Instruments
在庫あり: 10,691
単価 : ¥188.00000
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RS1E130GNTB
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RS1E200BNTB

DigiKey製品番号
RS1E200BNTBTR-ND - テープ＆リール（TR）
RS1E200BNTBCT-ND - カット テープ（CT）
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
RS1E200BNTB
商品概要
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
メーカーの標準リードタイム
21 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 30 V 20A（Ta）、68A（Tc） 3W（Ta）、25W（Tc） 面実装 8-HSOP
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
RS1E200BNTB モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
20A（Ta）、68A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
3.9ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
3100 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
3W（Ta）、25W（Tc）
動作温度
150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
8-HSOP
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
ベース品番
RS1E
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数量
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カット テープ（CT） & Digi-Reel®
数量 単価 請求価格
1¥196.00000¥196
10¥123.00000¥1,230
100¥81.08000¥8,108
500¥63.01000¥31,505
1,000¥57.19300¥57,193
*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。
テープ＆リール（TR）
数量 単価 請求価格
2,500¥50.89280¥127,232
5,000¥46.99960¥234,998
7,500¥45.01560¥337,617
12,500¥42.78720¥534,840
17,500¥42.56389¥744,868
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥196.00000
単価（消費税込み）:¥215.60000