Name: RS1E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1E180BNTR-ND
Price: 182.6 JPY
Availability: InStock

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RS1E180BNTB
DigiKey製品番号	846-RS1E180BNTR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RS1E180BNTBCT-ND - カットテープ（CT） 846-RS1E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RS1E180BNTB
商品概要	MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 60A（Tc） 3W（Ta）、25W（Tc）面実装 CPT3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RS1E180BNTB モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	60A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.9ミリオーム @ 18A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	46 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2400 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3W（Ta）、25W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	CPT3
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	RS1E