Name: RQ3P300BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P300BHTB1TR-ND
Price: 574.2 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

RQ3P300BHTB1
DigiKey製品番号	846-RQ3P300BHTB1TR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RQ3P300BHTB1CT-ND - カットテープ（CT） 846-RQ3P300BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3P300BHTB1
商品概要	NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 39A（Tc） 32W（Tc）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	39A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	15.5ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	36 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2040 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	32W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-HSMT（3.2x3）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	RQ3P300