Name: RQ3N040ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3N040ATTB1TR-ND
Price: 309.1 JPY
Availability: InStock

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RQ3N040ATTB1
DigiKey製品番号	846-RQ3N040ATTB1TR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RQ3N040ATTB1CT-ND - カットテープ（CT） 846-RQ3N040ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3N040ATTB1
商品概要	PCH -80V -10A, HSMT8, POWER MOSF
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 80 V 4A（Ta）、10A（Tc） 2W（Ta）、15W（Tc）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 22 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 930 pF @ 40 V
FETタイプ Pチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）、15W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4A（Ta）、10A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT（3.2x3）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 126ミリオーム @ 4A、10V