
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


RQ3G100GNTB | |
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DigiKey製品番号 | RQ3G100GNTBTR-ND - テープ&リール(TR) RQ3G100GNTBCT-ND - カット テープ(CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | RQ3G100GNTB |
商品概要 | MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 40 V 10A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3) |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | RQ3G100GNTB モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | 新規設計向けに不適合 | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 40 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V、10V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 14.3ミリオーム @ 10A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 8.4 nC @ 10 V | |
Vgs(最大) | ±20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 615 pF @ 20 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 2W(Ta) | |
動作温度 | 150°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT(3.2x3) | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥124.00000 | ¥124 |
10 | ¥78.10000 | ¥781 |
100 | ¥51.22000 | ¥5,122 |
500 | ¥39.11400 | ¥19,557 |
1,000 | ¥35.21600 | ¥35,216 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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3,000 | ¥25.71967 | ¥77,159 |
6,000 | ¥23.59700 | ¥141,582 |
9,000 | ¥23.46044 | ¥211,144 |
単価(消費税抜き): | ¥124.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥136.40000 |