Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTBTR-ND
Price: 176 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

RQ3E120BNTB
DigiKey製品番号	RQ3E120BNTBTR-ND - テープ＆リール（TR） RQ3E120BNTBCT-ND - カットテープ（CT） RQ3E120BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3E120BNTB
商品概要	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 12A（Ta） 2W（Ta）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RQ3E120BNTB モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 29 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1500 pF @ 15 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT（3.2x3）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9.3ミリオーム @ 12A、10V	ベース品番 RQ3E120

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

在庫：2,572個

追加の入荷予定数量を確認

数量

価格はすべてJPYです

カットテープ（CT） & Digi-Reel®

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥160.00000
単価（消費税込み）:	¥176.00000

RQ3E120BNTB