Name: RQ3E080GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080GNTBTR-ND
Price: 126.5 JPY
Availability: InStock

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RQ3E080GNTB
DigiKey製品番号	RQ3E080GNTBTR-ND - テープ＆リール（TR） RQ3E080GNTBCT-ND - カットテープ（CT） RQ3E080GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3E080GNTB
商品概要	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 8A（Ta） 2W（Ta）、15W（Tc）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RQ3E080GNTB モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 5.8 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 295 pF @ 15 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）、15W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT（3.2x3）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 16.7ミリオーム @ 8A、10V	ベース品番 RQ3E080