Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 143 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

RF4E080GNTR
DigiKey製品番号	RF4E080GNTRTR-ND - テープ＆リール（TR） RF4E080GNTRCT-ND - カットテープ（CT） RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RF4E080GNTR
商品概要	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 8A（Ta） 2W（Ta）面実装 HUML2020L8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RF4E080GNTR モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	8A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	17.6ミリオーム @ 8A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	5.8 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	295 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2W（Ta）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	HUML2020L8
パッケージ/ケース	8-PowerUDFN
ベース品番	RF4E080