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購入可能な代替品:

類似

DMG4800LFG-7
Diodes Incorporated
在庫あり: 9,000
単価 : ¥1,208.00000
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類似

PMPB25ENEX
Nexperia USA Inc.
在庫あり: 605
単価 : ¥1,177.00000
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PMPB29XNE,115
Nexperia USA Inc.
在庫あり: 0
単価 : ¥902.00000
データシート
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Nチャンネル 30 V 7A（Ta） 2W（Ta） 面実装 HUML2020L8
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RF4E070BNTR

DigiKey製品番号
RF4E070BNTRTR-ND - テープ＆リール（TR）
RF4E070BNTRCT-ND - カット テープ（CT）
RF4E070BNTRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
RF4E070BNTR
商品概要
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
メーカーの標準リードタイム
16 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 30 V 7A（Ta） 2W（Ta） 面実装 HUML2020L8
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
RF4E070BNTR モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
7A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
28.6ミリオーム @ 7A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
8.9 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
410 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
2W（Ta）
動作温度
150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
HUML2020L8
パッケージ/ケース
8-PowerUDFN
ベース品番
RF4E070
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数量
価格はすべてJPYです
テープ＆リール（TR）
数量 単価 請求価格
3,000¥67.17667¥201,530
6,000¥62.43900¥374,634
9,000¥60.24233¥542,181
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥67.17667
単価（消費税込み）:¥73.89434