Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 712.8 JPY
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
DigiKey製品番号	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - カットテープ（CT） 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RD3S100AAFRATL
商品概要	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 190 V 10A（Tc） 85W（Tc）面実装 TO-252
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 52 nC @ 10 V
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2000 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 85W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 190 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V、10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 182リオーム @ 5A、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1mA	ベース品番 RD3S100