Name: RD3P05BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P05BATTL1TR-ND
Price: 654.5 JPY
Availability: InStock

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RD3P05BATTL1
DigiKey製品番号	846-RD3P05BATTL1TR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RD3P05BATTL1CT-ND - カットテープ（CT） 846-RD3P05BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RD3P05BATTL1
商品概要	PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 50A（Tc） 101W（Tc）面実装 TO-252
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RD3P05BATTL1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4620 pF @ 50 V
FETタイプ Pチャンネル	電力散逸（最大） 101W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 41ミリオーム @ 25A、10V	ベース品番 RD3P05