Name: R6025JNZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6025JNZ4C13-ND
Price: 1917.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 7V @ 4.5mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 57 nC @ 15 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1900 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 306W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 25A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247G
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 182ミリオーム @ 12.5A、15V	ベース品番 R6025

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R6025JNZ4C13