Name: R6020ENZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6020ENZ4C13-ND
Price: 1188 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 60 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1400 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 231W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 196ミリオーム @ 9.5A、10V	ベース品番 R6020

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R6020ENZ4C13