Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 579.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	バルク
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	7A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	620ミリオーム @ 2.4A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	20 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	390 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	40W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220FM
パッケージ/ケース	TO-220-3フルパッッケージ
ベース品番	R6007

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