Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 621.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20 nC @ 10 V
梱包形態バルク	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 390 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 40W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220FM
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 620ミリオーム @ 2.4A、10V	ベース品番 R6007

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPAN65R650CEXKSA1	Infineon Technologies	14	IPAN65R650CEXKSA1-ND	¥327.00000	類似
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	¥846.00000	類似
TK8A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	10	TK8A65WS5X-ND	¥447.00000	類似

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バルク

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥565.00000
単価（消費税込み）:	¥621.50000

R6007ENX