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Rohm Semiconductor
在庫あり: 8
単価 : ¥188,812.00000
データシート
BSM600D12P3G001
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BSM600D12P3G001
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKey製品番号
846-BSM600D12P3G001-ND
メーカー
メーカー製品番号
BSM600D12P3G001
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) シャーシマウント モジュール
データシート
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製品属性
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
生産中止品
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
600A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
-
Id印加時のVgs(th)(最大)
5.6V @ 182mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
-
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
31000pF @ 10V
電力 - 最大
2450W(Tc)
動作温度
-40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
ベース品番
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