MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 400A（Tc） 2450W（Tc） モジュール
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MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 400A（Tc） 2450W（Tc） モジュール
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

DigiKey製品番号
846-BSM400D12P2G003-ND
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
BSM400D12P2G003
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
メーカーの標準リードタイム
27 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 400A（Tc） 2450W（Tc） モジュール
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
400A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
-
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 85mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
-
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
38000pF @ 10V
電力 - 最大
2450W（Tc）
動作温度
-40°C～150°C（TJ）
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
ベース品番
BSM400
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