BSM180D12P2E002
写真は、部品の参考イメージと
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BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKey製品番号
846-BSM180D12P2E002-ND
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
BSM180D12P2E002
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 204A（Tc） 1360W（Tc） シャーシマウント モジュール
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
204A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
-
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 35.2mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
-
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
18000pF @ 10V
電力 - 最大
1360W（Tc）
動作温度
-40°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
モジュール
ベース品番
BSM180
製品に関する質問と回答

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