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RFW2N06RLE | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 2156-RFW2N06RLE-ND |
メーカー | Harris Corporation |
メーカー製品番号 | RFW2N06RLE |
商品概要 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 60 V 2A（Tc） 1.09W（Tc） スルーホール 4-DIP、Hexdip |
データシート | データシート |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 30 nC @ 10 V |
梱包形態 バルク | Vgs（最大） +10V、-5V |
部品状況 アクティブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 535 pF @ 25 V |
FETタイプ | 電力散逸（最大） 1.09W（Tc） |
技術 | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V | 取り付けタイプ スルーホール |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | サプライヤデバイスパッケージ 4-DIP、Hexdip |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V | パッケージ/ケース |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 200ミリオーム @ 2A、5V |
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