Pチャンネル 12 V 6.2A(Ta) 556mW(Ta)、12.5W(Tc) 面実装 6-WLCSP(1.48x0.98)
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PMCM6501VPEZ

DigiKey製品番号
2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
メーカー
NXP Semiconductors
メーカー製品番号
PMCM6501VPEZ
商品概要
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
客先参照品番
詳細な説明
Pチャンネル 12 V 6.2A(Ta) 556mW(Ta)、12.5W(Tc) 面実装 6-WLCSP(1.48x0.98)
データシート
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製品属性
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カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
12 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
25ミリオーム @ 3A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大)
900mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
29.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1400 pF @ 6 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
556mW(Ta)、12.5W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
6-WLCSP(1.48x0.98)
パッケージ/ケース
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