Name: TP70H300G4LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP70H300G4LSG-TR-ND
Price: 506 JPY
Availability: InStock

新製品

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TP70H300G4LSG-TR
DigiKey製品番号	1707-TP70H300G4LSG-TR-ND - テープ＆リール（TR） 1707-TP70H300G4LSG-TRCT-ND - カットテープ（CT） 1707-TP70H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	TP70H300G4LSG-TR
商品概要	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
メーカーの標準リードタイム	6 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 700 V 8A（Tc） 31.2W（Tc）面実装 3-PQFN（8x8）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Renesas Electronics Corporation
シリーズ	SuperGaN®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	8A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	312ミリオーム @ 5A、6V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 500µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	5.4 nC @ 6 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	487 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	31.2W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	3-PQFN（8x8）
パッケージ/ケース	3-PowerTDFN