Name: RBA80N04DANS-4UA04#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA80N04DANS-4UA04#HB0TR-ND
Price: 59.72956 JPY
Availability: OutOfStock

DigiKeyに新登場

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RBA80N04DANS-4UA04#HB0
DigiKey製品番号	559-RBA80N04DANS-4UA04#HB0TR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	RBA80N04DANS-4UA04#HB0
商品概要	RBA80N04DANS-4UA04#HB0
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 80A（Tc） 71W（Tc）面実装 8-DFN（4.9x5.75）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Renesas Electronics Corporation
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	80A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	3.5ミリオーム @ 40A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	40 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2100 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	71W（Tc）
動作温度	175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-DFN（4.9x5.75）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN