NP90N06VLG-E1-AY
DigiKey製品番号	NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	NP90N06VLG-E1-AY
商品概要	MOSFET N-CH 60V 90A TO252
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 90A（Tc） 1.2W（Ta）、105W（Tc）面実装 TO-252
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NP90N06VLG-E1-AY モデル

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 135 nC @ 10 V
メーカー Renesas Electronics Corporation	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6900 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 1.2W（Ta）、105W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 90A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7.8ミリオーム @ 45A、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FDD10AN06A0	onsemi	3,062	FDD10AN06A0CT-ND	¥489.00000	類似
IPD50N06S4L08ATMA1	Infineon Technologies	2,268	IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND	¥83.88360	類似
IRFR1018ETRPBF	Infineon Technologies	20,104	IRFR1018ETRPBFCT-ND	¥278.00000	類似
IRFR7546TRPBF	Infineon Technologies	480	IRFR7546TRPBFCT-ND	¥239.00000	類似
IRLR3636TRLPBF	Infineon Technologies	337	448-IRLR3636TRLPBFCT-ND	¥394.00000	類似

NP90N06VLG-E1-AY