Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 1087.9 JPY
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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タシートを参照ください。

NP100P06PDG-E1-AY
DigiKey製品番号	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - テープ＆リール（TR） 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - カットテープ（CT） 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	NP100P06PDG-E1-AY
商品概要	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 100A（Tc） 1.8W（Ta）、200W（Tc）面実装 TO-263
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NP100P06PDG-E1-AY モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Renesas Electronics Corporation
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	100A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	300 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	15000 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.8W（Ta）、200W（Tc）
動作温度	175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	NP100P06