Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 1204.5 JPY
Availability: InStock

Pチャンネル 60 V 100A（Tc） 1.8W（Ta）、200W（Tc）面実装 TO-263

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NP100P06PDG-E1-AY
DigiKey製品番号	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - テープ＆リール（TR） 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - カットテープ（CT） 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	NP100P06PDG-E1-AY
商品概要	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 100A（Tc） 1.8W（Ta）、200W（Tc）面実装 TO-263
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NP100P06PDG-E1-AY モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 300 nC @ 10 V
メーカー Renesas Electronics Corporation	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 15000 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1.8W（Ta）、200W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6ミリオーム @ 50A、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1mA	ベース品番 NP100P06