Name: UF4C120070K3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-UF4C120070K3S-ND
Price: 2571.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 6V @ 10mA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 37.8 nC @ 15 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1370 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 217W（Tc）
技術 SiCFET（Cascode SiCJFET）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 27.5A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 91ミリオーム @ 20A、12V	パッケージ/ケース TO-247-3