型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | 4個のNチャンネル(フルブリッジ) | |
FET機能 | デプリーションモード | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 38A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 38.5ミリオーム @ 30A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.4V @ 15mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 110nC @ 18V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 2246pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 100W(Tj) | |
動作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | 22-PIM(33.8x42.5) | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11,629.00000 | ¥11,629 |
| 28 | ¥9,000.35714 | ¥252,010 |
| 単価(消費税抜き): | ¥11,629.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥12,791.90000 |

