型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 51A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 30ミリオーム @ 50A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.3V @ 20mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 213.5nC @ 20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 2420pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 119W(Tj) | |
動作温度 | -40°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19,626.00000 | ¥19,626 |
| 28 | ¥16,856.92857 | ¥471,994 |
| 単価(消費税抜き): | ¥19,626.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥21,588.60000 |
