NFAM3065L4BL
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
NFAM3065L4BL
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH008T120M3F2PTHG

DigiKey製品番号
5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
メーカー
onsemi
メーカー製品番号
NXH008T120M3F2PTHG
商品概要
MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
メーカーの標準リードタイム
20 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 129A（Tc） 371W（Tj） シャーシマウント 29-PIM（56.7x42.5）
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
4 Nチャンネル
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
129A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
11.5ミリオーム @ 100A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4.4V @ 60mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
454nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
9129pF @ 800V
電力 - 最大
371W（Tj）
動作温度
-40°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
29-PIM（56.7x42.5）
ベース品番
NXH008
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注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥27,376.00000
単価（消費税込み）:¥30,113.60000