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カテゴリ | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 1800nC @ 18V |
メーカー onsemi | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 35000pF @ 400V |
梱包形態 バルク | 電力 - 最大 900W（Tj） |
部品状況 アクティブ | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | グレード 自動車 |
構成 6Nチャンネル（3相ブリッジ） | 認定 AEC-Q101 |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 900V | 取り付けタイプ シャーシマウント |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 510A（Tj） | パッケージ/ケース モジュール |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.7ミリオーム @ 510A、18V | サプライヤデバイスパッケージ SSDC39 |
Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 150mA |
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バルク
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥212,452.00000 | ¥212,452 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥212,452.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥233,697.20000 |
