Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 693 JPY
Availability: InStock

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NVMFS5113PLT1G
DigiKey製品番号	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - テープ＆リール（TR） NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - カットテープ（CT） NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NVMFS5113PLT1G
商品概要	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 10A（Ta）、64A（Tc） 3.8W（Ta）、150W（Tc）面実装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NVMFS5113PLT1G モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 83 nC @ 10 V
メーカー onsemi	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4400 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、150W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Ta）、64A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 14ミリオーム @ 17A、10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN、5リード
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA	ベース品番 NVMFS5